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⚠️ 応用編第3章：ESD設計（Electrostatic Discharge Protection）

ESD（Electrostatic Discharge：静電気放電）は、半導体ICに最も頻繁に影響を与える信頼性リスクの一つです。
特にI/Oセルや電源ラインでは、外部からの高電圧スパイクによりデバイスが破壊される恐れがあります。

本章では、ESD保護設計における基本原理、代表的な保護素子、回路設計とレイアウトでの注意点、さらには実際の破壊モードと解析までを実務視点で解説します。

ファイル名	内容概要
`esd_overview.md`	ESD現象の基本と保護設計の必要性（人体モデルなど）
`esd_devices.md`	GGNMOS, ダイオード, SCRなど各種保護素子の動作原理
`esd_layout.md`	レイアウトでのESDパス設計・ガードリング配置・DPP距離など
`esd_spec.md`	HBM/MM/CDMなどの試験規格とそれぞれの試験条件
`esd_failure_case.md`	実際のESD破壊と物理解析（FA）との接続、設計フィードバックの視点