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⚡ 応用編第2章：高耐圧デバイス

📘 概要

本章では、SoCやアナログ混載LSIなどにおいて用いられる 高耐圧デバイス（High Voltage Devices） について学びます。
LDMOSやHV-CMOSに代表されるこれらの素子は、通常のCMOSに比べて高電圧印加に耐える構造を持ち、パワー制御・センサ入力・インタフェース駆動などの用途に不可欠です。

また、設計においては電界集中・寄生素子・レイアウト最適化など、微細で実装的な配慮が求められます。

🗂️ セクション構成

ファイル名	内容概要
`ldmos.md`	LDMOS（横方向拡散型MOS）：高耐圧・高電流に対応した代表的構造
`hvcmos.md`	HV-CMOS：標準CMOSとの互換性を保ちつつ高耐圧を実現
`junction_isolation.md`	接合絶縁構造：寄生素子防止のためのレイヤ構造とバイアス制御
`dvdt.md`	dv/dt耐性と電界破壊：急峻な電圧変化によるデバイス破壊と対策設計
`layout_rules.md`	レイアウト設計と最適化：ガードリング、CMPダミーなどの実装工夫

🎯 対象読者

高耐圧デバイスの基本構造と用途を学びたい初学者
アナログ混載やPMIC設計に関心を持つ若手技術者
電源・センサ・ドライバなどを扱う回路設計担当者

🧩 本章の到達目標

LDMOSやHV-CMOSの構造・動作原理を理解する
寄生素子や絶縁構造を意識した設計・レイアウトに慣れる
電圧印加時のデバイス破壊・誤動作を防ぐ設計知識を習得する

🔗 関連リンク・参照章

応用編　第1章メモリ技術：組込み用SRAMと高耐圧ドライバの連携設計
応用編　第5章アナログ／ミックスドシグナル：高電圧アナログブロックとの接続視点
基礎編第4章：MOSトランジスタ特性：MOSの基本構造と寄生素子理解