🛠️ 経験要約 / Career Summary
三溝真一は、制御理論・電磁界解析 から 半導体デバイス開発、PZTアクチュエータ、
PrecisionCoreプリントヘッド製品化 に至るまで、
「技術 → 仕組み → 教育」へと連続的に深化してきた技術者です。
📘 フェーズ別キャリア
🔹 第0フェーズ｜制御設計、電磁界解析（1994〜1997）
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学部4年で制御設計（MATLAB / Simulink）を経験
06. デジタル H∞ 制御教材 -
大学院では電磁界解析に従事
エピソード：薄膜マイクロリアクトル解析（1996–1997年）
フェライト系磁性体 + Alスパイラルコイル構造を用いたDCDCコンバータ向けリアクトルの解析。
500kHz〜1MHz領域におけるQ値損失とAl/Cu選定指針を提示。
詳細はこちら › Thin-Film Microreactor 1996
🔹 第1フェーズ｜半導体デバイス（1997〜2006）
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1997年：セイコーエプソン入社
0.35〜0.18μm世代のロジック・メモリ・高耐圧プロセスインテグレーションを担当。
異なるトランジスタ特性を共存させるインテグレーションを、工程設計〜実装〜検証まで一貫して推進。 -
エピソード：64M DRAM立ち上げ（1998年）
0.25μm世代DRAMの量産立ち上げに参画。プロセス立ち上げ・不良解析・歩留まり改善を一貫対応。
詳細はこちら › DRAM Startup 1998 -
高耐圧混載技術の製品化経験
0.25μmおよび0.18μm世代のロジックプロセスにおいて、30Vトランジスタを混載する技術の開発から製品化までを担当。
a-TFTパネル向け駆動ICとして実用化。
🔹 第2フェーズ｜ピエゾ材料とアクチュエータ開発（2007〜2012）
- FeRAM向けPZTプロセス特性評価を経て、薄膜ピエゾアクチュエータ開発に展開
- PZT膜の構造解析と信頼性確保に貢献し、PrecisionCore技術基盤を構築
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薄膜特有の信頼性課題に対してPZT形成プロセス欠陥要因を解析し、表面処理最適化で対策
🔹 第3フェーズ｜PrecisionCore製品化と教育推進（2012〜）
- PrecisionCoreプリントヘッドにて駆動IC実装COF中心のエレキ技術を推進
- 開発・設計・量産化までのスケジュール策定および認定責任者を担当
- BOM整備・ISO教育・技術伝承の仕組みづくりを推進
🎯 現在の活動
- 教育支援・プロンプト設計・AI制御統合設計をテーマにした
オープンフレームワーク Samizo-AITL を構築・発信中
FinFET / GAA ノードパラメータ比較表
⚠️ 注記
本ページ記載のプロセス情報は、教育・教材目的の構想モデルに基づくもので、実在する製造フローや機密情報とは無関係です。