レイアウト設計は、論理回路を物理的な構造としてシリコン上に配置・配線する工程です。
PDK(Process Design Kit)に従い、設計ルールを満たしながら、性能・信頼性・歩留まりを両立する必要があります。
このセクションでは、レイアウト設計の基本構造と考え方を学びます。
項目 | 説明 | 教育的意義 |
---|---|---|
最小幅 | 各層(Poly、Metal等)に定義される | プロセス限界の反映 |
最小間隔 | 同一層または異層での距離制約 | ショート・リーク防止 |
Width/Spacing Rule | 「W/Sルール」としてPDKに記載 | 歩留まり・耐電圧・CMP対応 |
※ 例:Metal1 の最小幅 0.14 μm、最小間隔 0.14 μm(0.28μm pitch)
層名 | 方向 | 主用途 |
---|---|---|
Poly | 任意 | ゲート構造 |
Metal1 | 横方向 | ローカル信号配線 |
Metal2 | 縦方向 | GND/VDD配線(中間層) |
Metal3〜n | 交互 | グローバル配線、パワーグリッド、クロック |
項目 | 意図 |
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Min Width | フォトリソ限界/露光バラツキ |
Min Spacing | ショート/配線歩留まり |
Enclosure | Viaやコンタクトの被覆確保 |
Density | CMP均一性(例:Metal fill挿入) |
Notch | 不要な隙間・鋭角パターン防止 |
cmp_dummy_pattern.md
:CMP均一性のためのパターン工夫へ© 2025 Shinichi Samizo / MIT License