本セクションでは、MOSデバイス構造の変遷を
短チャネル効果・電界制御・配線制約などの物理要因から整理する。
世代比較ではなく、構造変更が必要になった理由を対象とする。
本セクションでは、
物理制約をどの設計レイヤで扱うかという設計方法論を扱う。
デバイス・回路・システム間の役割分担と前提条件を整理する。
本セクションでは、
設計に用いられる モデル・パラメータ・EDAの前提条件を整理する。
モデルが表現する範囲と、表現しない範囲を明確にする。
本セクションでは、
オープンソースEDAを用いた RTLからGDSまでの具体的フローを扱う。
自動化可能な工程と、設計者判断が必要な工程を区別して説明する。
本セクションでは、1990年代後半〜2000年代初頭の実製品を対象に、
を 事実ベースで整理する。
現行技術への適用やノウハウ展開は目的としない。
📘 デバイス物理と設計前提を確認したい場合
→ 01 → 06 → 07
🛠 EDA・設計フローを把握したい場合
→ 12 → 09 → 10 → 11 → 13 → 14
🧱 実製品での故障と判断を確認したい場合
→ 15 → 16 → 17 → 18 → 19
以下は扱わない。
本インデックスは、
半導体技術を複数の観点（物理・設計・ツール・実製品）から
横断的に参照するための一覧である。