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SystemDKにおける物理制約の評価手法
Evaluation Methods for Physical Constraints in SystemDK
📘 概要|Overview
SystemDKを用いた実装設計において、物理制約(SI/PI、熱、応力、EMI/EMC)を統合的に設計・最適化するには、
評価系の確立が不可欠です。本章では、以下の評価軸について手法と活用意義を整理します:
- Sパラメータ解析
- インピーダンス解析(PI, PDN)
- FEM(有限要素法)による熱・応力解析
- EMI放射解析とEMC耐性評価
📊 評価マトリクス|Evaluation Matrix
評価軸 | 方法 | 代表ツール | 教育適用の狙い |
---|---|---|---|
Sパラメータ | ネットワークアナライザ測定または電磁界解析 | Keysight ADS, Ansys SIwave | SI評価(反射・クロストーク)・AMS設計への応用 |
PDNインピーダンス | 周波数領域インピーダンス解析 | Sigrity PowerSI, Bode100等 | PI評価・デカップリング配置戦略の検証 |
熱解析 | FEMベースの温度分布・放熱経路可視化 | Ansys Icepak, COMSOL | 熱密度高い領域の検出・配置最適化教育 |
応力解析 | FEMによるCTE不整合・界面応力分析 | Ansys Mechanical, Abaqus | TSV/バンプ間の信頼性リスク設計 |
EMI評価 | 放射ノイズ分布の可視化 | CST Studio, HFSS | ノイズ源・GND戦略の設計教育 |
EMC評価 | 耐性シミュレーション・基準検証 | EMPro, EMC Studio | Chiplet電磁耐性と干渉防止設計 |
🧪 評価手法ごとの補足解説
✅ Sパラメータ解析
- 内容:S11/S21等を用いた信号整合性評価
- 応用:SerDes、RFブロック、クロック配線など
- 例:
S21 @ 1GHz = -2.5 dB(良好透過) S11 @ 1GHz = -12 dB(反射あり改善余地)
✅ PDNインピーダンス解析
- 手法:Z(f)プロファイルでPDN設計を評価
- 目標:< 50 mΩ(特定周波数帯)
- 教育効果:LDO/VRM配置の評価と最適化思考
✅ 熱FEM解析
- 用途:ヒートスプレッダ~ダイ間の熱伝播経路解析
- 重点:GAAブロック冷却、MRAM保護、ホットスポット除去
✅ 応力FEM解析
- 構造差起因の応力集中:
- 異種材料界面(Si ↔ Cu、FeMgO ↔ Si)
- 解析視点:
- TSV下層、封止樹脂、RDL周囲の界面応力
✅ EMI / EMC
EMI評価
- 手法:3D放射強度マップ・時間領域EM解析
- 応用:AMSブロック、GAAクロック干渉検討
EMC評価
- 目的:外部ノイズに対する回路動作の安定性評価
- 手法:IEC 61000規格に基づいた印加実験またはシミュレーション
🎓 教育PoC応用例
- GAA × AMS × MRAM 統合事例に対して:
- Sパラ:高速GAAとAMS間の整合性評価
- 熱解析:高温領域の検出と再配置提案
- EMI解析:AMSにおけるRF干渉の遮蔽検討