📘 Appendix 2.1:2.5D/3Dパッケージ関連用語集

Appendix 2.1: Glossary of Terms for 2.5D/3D Packaging


📌 はじめに / Introduction

本補足資料では、チップレット技術や先端パッケージに関する実践的な用語・略語を
簡潔かつ英語併記でまとめています。
This appendix provides concise definitions of key terms and acronyms used in chiplet and advanced packaging domains.


🔤 用語一覧(アルファベット順)

Glossary (Alphabetical Order)

🧩 用語 / Term 📘 意味・説明 / Definition
2.5D インターポーザやRDL上に複数ダイを水平配置する方式
Horizontal die placement using interposers or RDLs
3D IC TSVやHybrid Bondingを用いた垂直積層IC構造
ICs stacked vertically via TSVs or hybrid bonding
Bump チップ間の金属接続突起
Metal protrusions enabling inter-die connectivity
CoWoS TSMCの2.5D実装技術「Chip-on-Wafer-on-Substrate」
TSMC’s 2.5D technology for wafer-level chip integration
DBI バンプ不要の接合方式(Direct Bond Interconnect)
Bumpless direct bonding developed by Xperi
EMIB Intelの部分インターポーザ接続技術
Intel’s Embedded Multi-die Interconnect Bridge
FOWLP 再配線層(RDL)を活用した薄型パッケージ
Fan-Out Wafer-Level Packaging with redistribution layers
Foveros IntelのTSVベース3Dロジック積層技術
Intel’s TSV-based 3D stacking for logic dies
KGD Known-Good Die:良品のみを使用する方式
Use of pre-tested “known good” dies
HBM 高帯域幅メモリ。3D積層型DRAM技術
High Bandwidth Memory – stacked DRAM modules
Hybrid Bonding 金属と絶縁体の直接接合方式
Direct metal-dielectric bonding for 3D integration
Interposer ダイ間の高密度接続を担う中間層
Intermediate substrate for high-density die connections
μ-bump マイクロバンプ。微細な接続用金属突起
Micron-scale bumps for fine-pitch die bonding
RDL Redistribution Layer。再配線用の薄膜層
Thin metal layers used to re-route IO pads
SoIC TSMCの3Dダイ積層技術(System on Integrated Chips)
TSMC’s direct die-to-die 3D bonding platform
TSV Through-Silicon Via:シリコン貫通ビア
Vertical vias through silicon substrates
UBM Under Bump Metallization:バンプ下の金属層
Metallic layer beneath bumps for adhesion and conductivity
UCIe Universal Chiplet Interconnect Express
Industry standard for chiplet interconnects

📝 備考 / Notes


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