🧬 FinFET / GAA / CFET 各ノードの構造パラメータ比較
Node Structural Parameters: $n$, $H$, $W$ for FinFET, GAA, and CFET
📘 概要 / Overview
この資料は、各ノードにおけるFinFET / GAA / CFET構造の物理的寸法パラメータ（ $n$, $H$ , $W$ ）を整理したものです。
This appendix provides structural parameters across nodes including number of channels ($n$), height ($H$), and width ($W$).
📊 ノード別構造パラメータ表 / Node-wise Structural Table
| ノード Node |
構造 Structure |
タイプ Type |
$n$ | $H$ (nm) | $W$ (nm) | 備考 / Note |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 22nm | FinFET | NMOS/PMOS | 2 | 40 | 10 | 初期FinFET構造 |
| 14nm | FinFET | NMOS/PMOS | 3 | 45 | 8 | |
| 10nm | FinFET | NMOS/PMOS | 3 | 50 | 10 | |
| 7nm | FinFET | NMOS/PMOS | 4 | 55 | 10 | |
| 5nm | FinFET | NMOS/PMOS | 5 | 55 | 8 | |
| 3nm | GAA | NMOS/PMOS | 4 | 30 | 15 | Multi-nanosheet構造 |
| 2nm | GAA | NMOS/PMOS | 4 | 28 | 14 | IMEC/TSMC想定 |
| 1.4nm | GAA | NMOS/PMOS | 5 | 28 | 16 | |
| 1.0nm | CFET | NMOS+PMOS | 2×2 | ~25/25 | ~12 | GAA上下積層構造（推定値） |
| 0.7nm | CFET (Forksheet) | NMOS+PMOS | 2×2 | ~20/20 | ~10 | Gate-Fin分離構想（推定値） |
📝 備考 / Notes
- $n$はFin数またはナノシート数（1トランジスタあたり）
- CFETではNMOSとPMOSの垂直積層のため、$n$はそれぞれのレイヤで2個と想定
- GAA構造ではFinではなくナノシート幅が有効チャネルとなる