🧪 5b.3:酸化膜・アニール・前処理による界面品質改善

5b.3: Gate Oxide, Annealing, and Pre-Cleaning for Interface Quality Improvement


🎯 節の狙い / Objective

本節では、MOSトランジスタのチャネルと酸化膜との界面における
トラップの生成を物理的に抑制する工程技術を解説する。

酸化膜形成条件、アニール処理、酸化前の洗浄などは、
1/fノイズの発生率を直接左右する要因であり、
製造段階における最重要ポイントの1つである。

This section explains fabrication techniques to suppress interface trap formation
at the channel-oxide boundary in MOSFETs.
Oxide formation conditions, annealing, and pre-cleaning are
direct contributors to 1/f noise behavior and crucial process points.


🔧 対策①:厚膜酸化膜(Tox)の選定 / Choosing Thick Gate Oxide


🔧 対策②:Dry酸化 + N₂雰囲気 / Dry Oxidation in Nitrogen Ambient


🔧 対策③:H₂/N₂アニール処理 / H₂/N₂ Annealing


🔧 対策④:SC1/SC2洗浄 / SC1/SC2 Pre-Cleaning


✅ 本節のまとめ / Summary

🧩 項目|Item ✨ 主な効果|Main Effect 📝 備考|Notes
Tox厚膜化
Thick Oxide
電界緩和、トラップ影響低減
Lower field, less trap sensitivity
応答速度とトレードオフ
Slower speed
Dry酸化 + N₂
Dry Oxide + N₂
酸化膜欠陥低減
Fewer oxide defects
高温管理が必要
Requires thermal control
H₂/N₂アニール
H₂/N₂ Anneal
界面準位再結合、安定性向上
Recombines interface traps
時間と温度の最適化が重要
Tune process carefully
SC洗浄
SC Pre-Cleaning
表面汚染除去と膜質安定
Surface clean and uniform oxide
洗浄後速やかな酸化が必要
Immediate oxidation needed

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