🎚️ 5a.1 ポリ抵抗のばらつきと精度制御

🎚️ 5a.1 Poly Resistor Mismatch and Precision Control


📘 概要|Overview

ポリシリコン抵抗(Poly Resistor)は、AMS設計において電流源、バイアス生成、電圧リファレンスなど多用途で使用されますが、そのばらつき(Mismatch)や温度依存性はアナログ性能に大きな影響を与えます。

Poly resistors are widely used in AMS design for current sources, bias generation, and voltage references. However, mismatch and temperature dependence can significantly impact analog performance.


⚠️ 主な課題|Key Issues

項目|Issue 内容|Description
抵抗値の面内ばらつき 膜厚・ドーピング濃度の不均一性
レイアウト依存のばらつき ストレス効果や形状差(L × W)
温度係数(TCR) PTAT / CTAT傾向の誤差増大要因
モデル誤差 コーナーモデルと実測値の乖離

📏 代表値と仕様例|Typical Characteristics

項目|Item 代表値(例:0.18μm)|Typical (0.18μm Node) 備考|Remarks
シート抵抗 Rs 約 2k–4k Ω/□ ノンドープ、サリサイドなし構造
温度係数 TCR +2000 ppm/°C 正TCR:温度上昇で抵抗増加
面内ばらつき ±10〜20%(通常)
±1〜2%(マッチング設計時)
統計的ばらつき要素
使用例 バイアス、基準電圧、電流源 高精度用途では補償必須

🔥 工程由来のばらつき|Process-Induced Variation

バッチ炉(例:TEL α-8)におけるシート抵抗ばらつきは最大 ±15〜20% に達する場合がある。

要因 内容
温度勾配 炉内位置(上下)で温度差が発生
ガス流量分布 POCl₃, BBr₃ などの注入ガス不均一
アニールによる拡散変動 ドーパントの再分布が生じる可能性

対策:


🔧 設計による補正手法|Design Mitigation Techniques

手法|Technique 説明|Description
長尺構造化(L≫ΔL) 短距離による統計誤差を抑制
共通中心配置(Centroid) 勾配誤差を相殺する幾何配置
ミラー構成+ダミー追加 ストレス分布の均一化
温度補償回路併用 PTAT / CTAT傾向のキャンセル
自己整合型構造(Spacer等) リソグラフィ誤差の抑制設計

🧪 実務での影響例|Practical Impact

回路 ばらつきの影響例
バンドギャップ基準 出力電圧のオフセット・温度傾斜誤差
DAC / ADC オフセット・ゲイン誤差(LSB単位で顕在化)
電流ミラー バイアス精度劣化、出力誤差

🧠 用語解説|Glossary

用語|Term 意味|Meaning
Rs シート抵抗(Ω/□)
TCR Temperature Coefficient of Resistance(ppm/°C)
PTAT Proportional To Absolute Temperature
CTAT Complementary To Absolute Temperature

📎 関連ファイル|Related Files


✅ まとめ|Summary

Poly抵抗は便利かつ汎用的ですが、ばらつき・TCR・レイアウト依存性など多くの課題を含みます。AMS回路での高精度化には、工程理解とレイアウト手法の両輪による補償設計が必須です。

Poly resistors are versatile but demand careful design due to mismatch, temperature variation, and layout sensitivity. In precision analog systems, both process-aware design and layout best practices are critical.


🎛️ 応用編 第5章a:0.18um AMS設計技法 トップに戻る