🧩 レイヤー整合とオーバーレイ設計原則
🧩 Layer Alignment and Overlay Design Principles
📘 概要 | Overview
ICレイアウト設計において、各層(Poly、Metal、Viaなど)の重なり(Overlay)と基準(Reference Layer)は、
DRCルールの中核を成し、製造ばらつきや電気的接続の信頼性を大きく左右します。
In IC layout design, the overlay and reference relationships between layers (Poly, Metal, Via, etc.) are crucial for
ensuring manufacturability and connectivity reliability.
本資料では、PLY / CNT / ALA / HL(Metal1〜Via1)の関係を中心に、物理的整合性と設計指針をまとめます。
This document focuses on PLY / CNT / ALA / HL layers, explaining their physical alignment and design guidelines.
🔤 用語補足:Overlay と Overlap の違い
🔤 Terminology Note: Overlay vs. Overlap
用語 / Term | 意味 / Meaning | 設計における使われ方 / In Design Context |
---|---|---|
Overlay(オーバーレイ) | マスク間の位置ずれ・整合性 Mask misalignment or registration |
製造誤差を考慮した中心合わせ・マージン設計に関わる Affects centering and margin in lithography |
Overlap(オーバーラップ) | 図形同士の重なり・包含関係 Geometric overlap or enclosure |
CNT ⊆ ALA や PLY ⊇ F のような被覆・接続設計に関わる Used for enclosures like CNT within ALA |
💡 In this document, we focus on “Overlay” as the manufacturing alignment between masks, while “Overlap” refers to intentional geometric enclosures between layers.
💡 本資料では「Overlay(整合誤差)」を主に扱いますが、「Overlap(幾何的重なり)」も設計意図として重要です。
📐 各レイヤーの基準層とオーバーレイ関係
📐 Reference Layers and Overlay Relationships
レイヤー / Layer | 基準層 / Reference Layer | オーバーレイ関係 / Overlay Relationship | 説明 / Description |
---|---|---|---|
PLY (Polysilicon) |
F (Active region) |
PLY ⊇ F (Fを完全に覆う) |
ゲート形成用。Active領域にPolyを重ねてFETを形成 Used for gate formation; overlaps Active (F) for FET |
CNT (Contact) |
PLY, ALA | CNT ⊆ PLY または ALA (CNTはPLY/ALA内に収まる) |
PolyやMetal1への接続孔。エンクロージャが必須 Connects to Poly or ALA; full enclosure required |
ALA (Metal1) |
CNT | ALA ⊇ CNT (CNTをエンクロージャ) |
Contactを確実に被覆する最下層Metal。信号配線に使用 Bottom metal layer enclosing contacts; used for routing |
HL (Via1) |
ALA, ALB | HL ⊆ ALA ∩ ALB (上下Metal内に収める) |
Metal1〜Metal2間の接続用Via。上下層に完全に重なる必要 Via between Metal1 and Metal2; must fit within both layers |
🛠️ 設計ルールのポイント | Design Rule Highlights
項目 / Item | 指針 / Guideline |
---|---|
最小エンクロージャ Minimum Enclosure |
CNT→PLYやCNT→ALAで0.06μm以上(PDK依存) ≥ 0.06μm enclosure for CNTs by PLY/ALA (depends on PDK) |
Overlayマージン Overlay Margin |
各マスク誤差±0.04μm程度を許容。中心合わせが基本 Mask misalignment margin ±0.04μm; centering is standard |
中心配置原則 Centering Rule |
Contact/Viaは上下層の中心に配置してマージン確保 Place contacts/vias at center of top/bottom layers |
密度・CMP考慮 Density / CMP |
Dummy Fillとの干渉防止、Spacingルールとの整合が重要 Ensure compatibility with dummy fills and spacing rules |
🔍 オーバーレイ不良の例 | Examples of Overlay Misalignment
- ❌ CNTがALAからはみ出す → 接続不良、リーク、歩留まり低下
CNT extends beyond ALA → connection failure or leakage - ❌ HLがALAやALBからずれる → Viaオープンや抵抗増加
HL misaligned with ALA/ALB → via open or increased resistance
🎯 教材的意義 | Educational Perspective
- DRCチェックだけでなく、物理的重なりの設計意図を理解する
Understand not just DRC, but the design rationale behind overlay - PDKルールの“重なり”と“被覆”の意味を構造図で直感化できる
Visualize the meaning of overlap and enclosure in layout structures - 自動配置ツールの制約も手動レイアウト理解を通じて補完可能
Compensate for auto-layout limitations via manual design insights
🔗 関連セクション | Related Sections
layout_principles.md
:レイアウト基本構造とルールcmp_dummy_pattern.md
:CMP均一化の設計配慮ir_drop_and_em.md
:配線信頼性とVia対策d_chapter6_pdk_and_eda_environment/
:PDKルール全体像とEDAツール連携
🧱 応用編 第4章:レイアウト設計と最適化 /
🧱 Applied Chapter 4: Layout Design and Optimization
📘 セクション一覧 / Section Index
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