🔧 ESD保護素子の構造と動作原理

🔧 Structure and Operating Principles of ESD Protection Devices


📘 概要 / Overview

ESD保護回路では、高電圧スパイクを安全に逃がすための素子が重要な役割を果たします。
ここでは、代表的なESD保護素子の構造とその動作原理について解説します。

In ESD protection circuits, devices that safely divert high-voltage pulses are crucial.
This section explains the structure and operation of commonly used ESD protection devices.


🔋 主なESD保護素子と特徴 / Typical ESD Devices and Characteristics

素子名 / Device 特徴 / Characteristics 主な用途 / Typical Use
ダイオード
Clamp Diode
単純・高速・低容量
Simple, fast, low capacitance
低電圧I/Oの基本構成
Basic for low-voltage I/O
GGNMOS
Gate-Grounded NMOS
放電時のみ動作・低ON抵抗
Conducts only during discharge, low resistance
パッド横・電源ライン保護
Pad-side, power rail
SCR
Silicon Controlled Rectifier
高電流耐性・トリガ必要
Handles high current, needs trigger
パワーライン・高耐圧I/O
Power, high-voltage I/O
TLP/TVS
Transient Protection Diodes
パッケージ外付け・応答高速
Fast, external protection
センサ端子・外部IF
Sensor, external interface

📌 各素子の構造と動作原理 / Structure & Operation of Each Device

① クランプダイオード(Clamp Diode)

          +3.3V
            │
        ┌───┴───┐
        │       │
     →─┘       └─→ GND
  入力パッド / Input Pad

② GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)

[I/O]──┬───────┐
       │       │
     [D]      [S]
       └───┬───┘
          [G]
          GND

③ SCR(Silicon Controlled Rectifier)

  Anode (+)
    │
  P+ ─ N- ─ P- ─ N+ 
               │
             Cathode (−)

⚖️ 各素子の比較 / Device Comparison Table

指標 / Metric ダイオード
Diode
GGNMOS SCR
応答速度
Response Speed
◎ Very Fast ○ Moderate △ Triggered
電流耐性
Current Handling
△ Limited ○ Good ◎ Excellent
容量負荷
Capacitance
小 Small 中 Medium 大 Large
レイアウト面積
Layout Area
小 Small 中 Medium 大 Large

📚 教材的意義 / Educational Significance


🔗 次のセクション / Next Section

👉 esd_layout.md:保護素子を活かすレイアウト設計へ
👉 esd_layout.md: Applying Devices to Layout Strategy


📂 ESD保護設計の章トップへ
📂 Back to Chapter Overview: ESD Protection Design


© 2025 Shinichi Samizo / MIT License