⚠️ 応用編 第3章 : ESD設計

Applied Chapter 3 : ESD Protection Design


📘 概要 / Overview

ESD(Electrostatic Discharge:静電気放電)は、半導体ICに最も頻繁に影響を与える信頼性リスクの一つです。
特にI/Oセルや電源ラインでは、外部からの高電圧スパイクによりデバイスが破壊される恐れがあります。

ESD is one of the most frequent reliability risks in semiconductor ICs.
External high-voltage spikes at I/O or power lines can cause serious damage to internal circuits.

本章では、ESD保護設計の基本原理から、素子構造・レイアウト設計・試験規格・破壊解析まで、実務に基づいて体系的に解説します。

This chapter provides a comprehensive overview of ESD protection, covering fundamentals, device structures, layout strategies, qualification standards, and real-world failure cases.


🗂️ セクション構成 / Section Contents

ファイル名 / File 内容概要 / Description
esd_overview.md ESDの基本現象と設計意義(HBM, CDM, 対策方針)
Basic ESD phenomena and importance of protection design
esd_devices.md 保護素子の構造と動作(GGNMOS, ダイオード, SCR)
Structures and operation of key protection devices
esd_layout.md レイアウト上の工夫(DPP距離、ガードリング)
Layout-level strategies such as DPP and guard rings
esd_spec.md ESD試験モデルと評価規格(HBM, MM, CDM)
Evaluation models and JEDEC/ESDA standards
esd_failure_case.md 破壊モードと物理解析(OBIRCH, EMMI, FIB)
Failure modes and physical failure analysis techniques

🎯 対象読者 / Intended Audience


🧩 本章の到達目標 / Learning Objectives



👤 著者・ライセンス|Author & License

項目|Item 内容|Details
著者|Author 三溝 真一(Shinichi Samizo)
GitHub Samizo-AITL
Email shin3t72@gmail.com
ライセンス|License MIT License(再配布・改変自由)
Redistribution and modification allowed

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