7.4 教材事例:SRAMマクロ不良とDR限界

7.4 Case Study: SRAM Macro Failure and the Limitations of DR


🎯 教育目標|Learning Objective

本節では、0.25µmロジックプロセスにおけるSRAMマクロ不良を題材に、
DR(Design Review)の限界とフィードバックの重要性を学ぶ。

This section discusses a case in which a defect was missed despite passing DR,
emphasizing the need for robust feedback mechanisms in the development cycle.


📌 ケース概要|Case Overview

項目 内容
使用プロセス 0.25µmロジックプロセス(Tiサリサイド付き)
0.25µm logic process with Ti salicide
構成モジュール SRAMマクロ(500Kbit → 1Mbitへ拡張)
SRAM macro scaled from 500Kbit to 1Mbit
不良現象 ランダムビット不良が多数発生
Random bit failures in large-scale configuration
設計要因 冗長回路未搭載、単一ビット異常に脆弱
No redundancy, single-bit failure = full failure

🧪 技術的背景|Technical Background

要因 説明
相転移不完全
Phase Transition Issue
TiサリサイドのC49 → C54相転移が不完全で高抵抗化
Incomplete phase change leads to high-resistance salicide
熱工程不適合
Thermal Process Mismatch
ランプアニール条件が不適切(昇温速度・保持時間)
Poor ramp anneal profile
設計上の弱点
Design Weakness
冗長ビット未搭載により、1ビット不良でも全体がNG
Lack of redundancy causes fatal sensitivity to bit failures

🛠️ 実施された対策|Countermeasures

◾ プロセス対応|Process Actions

◾ 設計対応|Design Actions


📚 教材的ポイント|Educational Highlights

教訓 内容
DRの形式通過 ≠ 品質保証 モジュール試作時にOKでも、構成変更(規模拡大)で問題が顕在化する
レビュー視点の限界 回路構成・熱プロファイル・スケーラビリティの見落とし
PDK進化の必要性 実測データや不具合事例を通じたフィードバックの重要性

🧭 教育上のねらい|Instructional Focus


📝 補足注記(教育的配慮)|Educational Disclaimer

本教材は、特定企業や製品に依存しない一般教育目的の事例です。
プロセス条件や設計事例は、過去世代技術(例:0.25µm)をベースに構成されており、
現行技術や企業固有のノウハウとは直接関係しません。

The described case is a generalized educational scenario based on legacy technology,
aiming to cultivate structural thinking and feedback literacy in early-career engineers.


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