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🧭 技術ロードマップと先端ノードの展望（2nm以降）

🏁 概要

本教材では、2nm以降の半導体プロセス技術とその周辺要素について、各社の技術ロードマップや構造技術を比較しながら解説します。

🧪 2nm以降の注目技術

技術名 概要
GAAFET（ナノシート） FinFETの次世代構造。Rapidus・Samsung・Intelが採用
CFET（スタック型FET） N-FETとP-FETを上下に積層。2027年以降に実用化予定
Backside PDN 電源配線をチップ裏面へ移動。EUV後工程との連携が鍵
3Dパッケージング CoWoS, Foverosなどでチップレット接続密度向上

🏭 各社のロードマップ比較（概要）

メーカー 2nm技術 2nm以降の構想
Intel Intel 20A（2024〜）→18A（GAAFET+RDL） CFET（RibbonFET）へ
TSMC N2（2025〜、GAAFET） N2P、Backside PDNなど
Samsung GAAFET導入済（3nm）→2nmで改良 CFETを2030年までに計画
Rapidus IBM技術によるGAAFET（2025試作） 量産は2027〜、CFET計画未公表

📚 学習テーマと活用方法

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🛠️ この教材は技術と産業の未来を俯瞰するための土台です。順次拡張していきます。