🧪 5.1：TSMCの研究開発体制
5.1: TSMC’s R&D Structure
本節では、TSMCの研究開発組織構造、技術開発プロセス、そして直面する主要技術課題について整理します。
R&Dの位置づけは単なる試作部門ではなく、顧客要求に応じた量産プロセスの短期立ち上げ能力を支える中核機能です。
This section outlines TSMC’s R&D organization, development processes, and main technical challenges.
R&D serves not only as a prototyping department but as a core capability for rapidly ramping mass production in response to customer needs.
🏢 組織構造 / Organizational Structure
| 部門 / Division | 役割 / Role |
|---|---|
| Corporate R&D | 先端ノード開発（N2、GAA、CFET）、材料・装置評価 / Leading node development, materials & equipment evaluation |
| Process Integration | 各工程の統合と歩留まり改善 / Integration & yield improvement |
| Device Technology | トランジスタ構造・電気特性評価 / Device architecture & electrical characterization |
| Advanced Packaging R&D | 2.5D/3Dパッケージ技術開発 / Advanced packaging technologies |
| Collaborative R&D | Fabless・大学・研究機関との共同開発 / Collaboration with fabless, academia, research institutes |
🔬 技術開発プロセス / Development Process
- コンセプト策定 – ノード世代・アーキテクチャ・目標性能の定義
- 材料・装置評価 – 先端露光（EUV/High-NA）、新材料（低k・高k）の適合性検証
- 試作ライン構築 – 新工程をR&D Fabに導入し、テストチップ製造
- 電気特性評価 – トランジスタパラメータ・信頼性試験（HCI, BTI, TDDB）
- 量産移行計画 – 工程安定化、量産Fabへの技術移管
⚠ 主な技術課題 / Key Technical Challenges
- GAA量産化：FinFETからの移行に伴う工程安定化
- EUV High-NA対応：露光解像度向上とマスク欠陥管理
- 配線RC遅延削減：ULK材の信頼性確保と抵抗低減
- デバイスばらつき抑制：ゲート長・Vth変動の低減
- 先端パッケージ歩留まり向上：異種チップ統合時の界面問題
📎 関連リンク / Related Links
🔙 戻る / Back
- 前節 / Previous: なし
- 次節 / Next: 5.2 CapExの推移とプロセスノード別投資傾向
- 章トップ / Chapter Top: 第5章 README