🔬 3.2 EUV導入戦略と層数
3.2 EUV Adoption Strategies & Layer Counts
📜 概要 / Overview
JP:
EUV（Extreme Ultraviolet Lithography）は、7nm世代以降の微細化を可能にする重要技術であり、TSMCとサムスンは導入タイミングや層数の採用方針で異なる戦略を取っています。
TSMCは安定量産を重視し、初期はEUV層数を限定的に導入、歩留まり改善後に層数を拡大しました。
一方、サムスンは先行導入による競争優位確保を狙い、より早い段階で複数層のEUVを適用しましたが、歩留まり課題を抱えました。
EN:
EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) is a key technology enabling scaling beyond the 7nm node.
TSMC and Samsung have taken different approaches in timing and the number of EUV layers adopted.
TSMC prioritized stable high-yield production, initially limiting EUV layers and expanding after yield improvements.
Samsung aimed for first-mover advantage, introducing multiple EUV layers earlier, but faced yield challenges.
📊 層数比較 / Layer Count Comparison
| ノード / Node | TSMC EUV層数 / TSMC EUV Layers | Samsung EUV層数 / Samsung EUV Layers |
|---|---|---|
| 7nm | 1–2層（初期） / 1–2 layers (initial) | 4–5層 / 4–5 layers |
| 5nm | 約15層 / ~15 layers | 約10層 / ~10 layers |
| 3nm | N3B: 約21層 / ~21 layers | 3GAE: 約14層 / ~14 layers |
🕵️ 戦略の特徴 / Strategic Characteristics
TSMC:
- 段階的導入で安定量産を実現
- 初期はリスクの低い層にEUVを適用
- 歩留まりが確保され次第、EUV層数を増加
Samsung:
- EUV多層導入による先行アピール
- 高パターン密度での早期実装
- 歩留まり確保に時間を要した事例あり
EN Translation:
TSMC:
- Gradual EUV adoption to achieve stable mass production
- Applied EUV initially to low-risk layers
- Increased EUV layers once yields stabilized
Samsung:
- Early adoption of multi-layer EUV for competitive signaling
- Implemented high-density patterns early
- Took longer to achieve stable yields
🔍 補足キーワード / Key Terms
- EUV Lithography — 13.5nm波長の露光技術 / 13.5nm wavelength lithography technology
- Layer Count — EUV適用の層数 / Number of layers with EUV applied
- N3B / N3E — TSMCの3nmプロセスバリエーション / TSMC’s 3nm process variants
- 3GAE / 3GAP — サムスンの3nm GAA世代 / Samsung’s 3nm GAA generations