⚔️ 第3章：TSMCとサムスンの比較
本章では、世界の先端ファウンドリ市場においてTSMCと並ぶプレイヤーであるサムスンファウンドリとの比較を通じて、
両社の技術戦略・量産能力・設備投資・設計支援環境などの違いを多面的に分析します。
🧭 本章の目的
- TSMCとサムスンのプロセスノード／EUV導入戦略の差異理解
- GAA（Gate All Around）への移行における設計・製造対応の比較
- 生産規模・歩留まり・顧客対応・EDA支援体制の違いを評価
- 国家支援・投資インセンティブの違いと事業展開への影響を整理
🗂 内容構成
| セクション |
内容 |
| 3.1 |
サムスンファウンドリの立ち位置と歴史的背景 |
| 3.2 |
EUV導入戦略と層数：TSMC vs サムスンの世代別比較 |
| 3.3 |
GAA対応：サムスン3nm先行 vs TSMC N2世代投入 |
| 3.4 |
歩留まり・顧客数・ファブレス連携の違い |
| 3.5 |
R&D投資規模・国家支援制度の差異（韓国 vs 台湾） |
📊 技術戦略比較表（例）
| 項目 |
TSMC |
サムスン |
| GAA導入時期 |
2025（N2） |
2022（3GAE） |
| EUV利用層数（5nm） |
約15層 |
約10層 |
| 顧客層 |
Apple, AMD, NVIDIA |
Google, Qualcomm, IBM |
| 主力ファブ所在地 |
台湾（Hsinchu他）・熊本・アリゾナ |
韓国（Hwaseong他）・テキサス |
| 歩留まり安定性 |
高評価（N5〜N4） |
3GAE世代は低評価傾向 |
| 設計支援ツール |
Open Innovation Platform (OIP) |
SAFETM 設計フレームワーク |
🔍 補足キーワード
- 3GAE / 3GAP（サムスンの3nm GAA世代）
- SAFETM（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）
- OIP（TSMC Open Innovation Platform）
- Yield / Ramp-up / Volume production readiness
- IPポートフォリオ／EDA連携
📎 関連章
📅 更新履歴
| 日付 |
内容 |
| 2025-07-13 |
初版作成（TSMC・サムスンのGAA・EUV・設計支援の比較） |