📏 1.1|ノード年表とマーケティング命名の差異

1.1|Node Timeline & Marketing Name Differences

📝 概要 / Overview

JP:
半導体業界で使われる「5nm」「3nm」などのノード名称は、かつてはゲート長や配線ピッチなどの物理寸法を指していましたが、2010年代以降はマーケティング色が強まり、必ずしも物理寸法を反映しないラベルとなっています。TSMCも例外ではなく、内部での正式呼称(N5、N3、N2など)と市場向けの呼び方に差異があります。

EN:
In the semiconductor industry, node names such as “5nm” or “3nm” once referred to physical dimensions like gate length or metal pitch. Since the 2010s, these labels have become marketing-oriented and no longer directly represent physical dimensions. TSMC is no exception—its internal designations (N5, N3, N2, etc.) differ from the marketing names used in public.


📅 ノード年表 / Node Timeline

年 / Year マーケティング名称 / Marketing Name 内部呼称 / Internal Label 主な特徴 / Key Features
2014 20nm N20 最後のプレFinFETノード / Last pre-FinFET node
2015 16nm N16 / N16FF 初のFinFET採用 / First FinFET adoption
2017 10nm N10 高密度ロジックだが短命ノード / High-density but short-lived node
2018 7nm N7 / N7+ DUV多重パタ+一部EUV / DUV multi-patterning + partial EUV
2020 5nm N5 / N5P 本格EUV導入 / Full EUV adoption
2022–23 3nm N3 / N3E 改良FinFET、EUV層数増加 / Enhanced FinFET, more EUV layers
2025 (予定) 2nm N2 GAAナノシート構造 / GAA nanosheet structure
2025–26 (予定) A16 A16 GAA強化版、チップレット前提設計 / Enhanced GAA, chiplet-ready design

🔍 命名の差異 / Naming Differences

JP:

EN:


🖼 ノード進化年表(概念図) / Node Evolution Timeline (Concept)

timeline
    title TSMC Node Evolution
    2014 : 20nm (N20)
    2015 : 16nm FinFET (N16)
    2017 : 10nm (N10)
    2018 : 7nm (N7 / N7+)
    2020 : 5nm (N5 / N5P)
    2022 : 3nm (N3 / N3E)
    2025 : 2nm GAA (N2)
    2025-26 : A16 (Enhanced GAA)


📅 更新履歴 / Update History

日付 / Date 内容 / Details
2025-08-11 初版作成(英日併記、年表・図追加) / First edition with JP/EN text, timeline table, and diagram

🔙 ナビゲーション / Navigation