💡 5. InGaNレーザー|Blue & UV Light Semiconductor Technology

InGaN(窒化インジウムガリウム)は、青色から紫外光まで発光可能な化合物半導体で、
高輝度レーザー、ディスプレイ、光通信、自動車、医療など幅広い分野で活躍しています。
Indium Gallium Nitride (InGaN) enables light emission from blue to ultraviolet,
powering applications from high-brightness lasers to displays, optical communications, automotive, and medical devices.


🌈 特徴|Key Features

特徴 / Feature 内容 / Description
発光波長の制御 / Tunable Wavelength In組成比で青〜緑〜紫外域まで調整可能 / Tunable from blue to green to UV via In content
高輝度・高効率 / High Brightness & Efficiency LED・LDで広く実用化 / Widely implemented in LEDs & LDs
高信頼性 / High Reliability WBG特性により高温・高電流動作に適応 / Withstands high temp & current
小型化 / Miniaturization VCSEL・マイクロレーザー化が可能 / Enables VCSEL & micro-laser designs

📐 構造と原理|Structure & Operating Principle

図版予定 / Illustration to be added: /images/ingan_mqw_structure.png


🔧 応用領域|Applications

応用 / Application 目的 / Purpose 特記事項 / Notes
Blu-ray / HD光ディスク 高密度記録 / High-density storage 405nmレーザー使用 / Uses 405 nm laser
プロジェクタ / AR フルカラー小型化 / Compact full-color RGB合成に貢献 / Enables RGB combination
車載LiDAR 高速距離計測 / High-speed ranging 分解能向上 / Higher resolution
医療機器 照射・切開・除菌 / Irradiation, cutting, sterilization UV殺菌域に適用 / Applicable to UV sterilization
光通信 高速伝送 / High-speed transmission 短波長多値変調可能性 / Potential for short-wavelength modulation

🔬 技術課題|Technical Challenges

課題 / Challenge 解説 / Details
格子不整合 / Lattice Mismatch サファイア基板で歪み発生 → 量子効率低下 / Strain on sapphire substrates reduces efficiency
温度特性 / Temperature Sensitivity 高温時の波長シフト・寿命低下 / Wavelength drift & lifetime reduction at high temp
短波長化 / Shorter Wavelength Targeting UV化はAlGaNとの競合・技術困難 / UV direction faces AlGaN competition & difficulty


🧩 まとめ|Summary

InGaNレーザーは「波長可変」「高輝度」「高信頼性」を兼ね備え、
ブルーレイ、プロジェクタ、車載LiDAR、光通信など幅広く利用される光半導体です。
InGaN lasers offer tunable wavelength, high brightness, and reliability,
impacting storage, projection, automotive sensing, and communications.


🔄 ナビゲーション / Navigation