🚀 4. 次世代材料と構造|Beyond WBG: Emerging Materials & Structures

本節では、SiC・GaNの次に登場が期待される新半導体材料や構造技術を取り上げ、
その特徴、期待用途、そして現時点での技術的課題を整理します。
In this section, we explore emerging semiconductor materials and structures beyond SiC and GaN,
highlighting their features, potential applications, and current technical challenges.


🌟 注目の次世代材料・構造|Key Emerging Materials & Structures

材料/構造 / Material & Structure 特徴 / Feature 期待用途 / Expected Applications 技術課題 / Technical Challenges
ダイヤモンドFET / Diamond FET 極高熱伝導性・耐電圧 / Ultra thermal conductivity & breakdown 宇宙・核融合・高放射線環境 / Space, fusion, radiation-hardened 結晶成長・製造コスト / Crystal growth, cost
垂直GaN / Vertical GaN 高耐圧・大電流 / High voltage & current EV充電、大型DC電源 / EV chargers, large DC power 製造工程の複雑さ / Complex process
超高耐圧SiC(15kV+) / Ultra HV SiC 厚膜エピ成長・トレンチ構造 / Thick epi, trench 送電・産業インフラ / Power grid, industrial コスト・信頼性 / Cost, reliability
AlN(窒化アルミニウム) / Aluminum Nitride 広Eg・高熱伝導 / Wide Eg, high thermal conductivity 極限環境・パワーデバイス基板 / Extreme env., substrate デバイス化未成熟 / Immature device tech
酸化ガリウム(β-Ga₂O₃) / Gallium Oxide 非常に広いEg・単結晶化 / Ultra wide Eg, bulk growth 超高耐圧 / Ultra HV 熱伝導低い / Low thermal conductivity

🔬 ダイヤモンド半導体の実例|Diamond Semiconductor in Practice


🧱 構造の進化|Structural Evolution: Vertical vs Lateral GaN

比較項目 / Item 横型GaN(HEMT) / Lateral GaN 垂直GaN(Vertical FET) / Vertical GaN
構造 / Structure 横方向チャネル / Lateral channel 縦方向電流路 / Vertical conduction path
耐圧 / Breakdown Voltage 数百V〜 / Few hundred V 1kV超 / 1kV+ possible
応用 / Applications RF・電源 / RF, power EV・高電力変換 / EV, high-power conversion

🧠 材料開発のジレンマ|Material Development Dilemma

広いバンドギャップ = 高耐熱・高耐圧
Wide Eg = High thermal & voltage tolerance
しかし同時に「加工・制御が難しい」「コストが高い」という課題も伴う
But also brings manufacturing challenges & high cost



🔄 ナビゲーション / Navigation