本ドキュメントでは、半導体製造におけるシリコンウエハ（Silicon Wafer）の基礎的な性質、分類、注意点、および代表的なメーカーシェアについてまとめます。
| 項目 / Item | 内容 / Description |
|---|---|
| 材料 / Material | 単結晶シリコン（Single-Crystalline Silicon） |
| 方位 / Orientation | ⟨100⟩面が主流（⟨111⟩はパワー系やMEMS向け） |
| 導電型 / Type | P型（Boron）またはN型（Phosphorus, Arsenic） |
| 抵抗率 / Resistivity | 1–20 Ω·cm（用途により異なる） |
| サイズ / Size | 6インチ（150mm）、8インチ（200mm）、12インチ（300mm） |
| 厚さ / Thickness | 725μm（200mm）〜775μm（300mm）など |
| エッジ形状 / Edge | オリフラット（OF）またはノッチ（Notch） |
| 要素 | 説明 |
|---|---|
| 酸素濃度 | CZ法では酸素が結晶中に溶け込みやすい（Epiで除去可能） |
| COP（Crystal Originated Particles） | 酸素析出に起因する微小欠陥。HVデバイスやEpi面で問題に |
| 影響例 | STI歪み、合わせ検査での不合格、リーク電流のばらつき等 |
補足：FZ法では酸素濃度が極めて低く、COPリスクはほぼゼロ。
高温酸化やアニール後の酸素析出、膜応力によってウエハが歪むと、以下の問題が発生します：
対策：
| 世代 / Generation | サイズ / Size | 形状 / Shape | 備考 / Note |
|---|---|---|---|
| 古いプロセス | 6インチ以下 | オリフラット（OF） | ⟨110⟩方向などに切欠きあり |
| 8インチ（0.35μm世代） | 200mm | ノッチ（Notch） | 中央の微小切欠きで自動整合 |
| 12インチ以降 | 300mm以上 | ノッチ（標準） | 自動処理対応が前提 |
| メーカー名 / Manufacturer | 拠点 / Region | 主な特徴 / Key Features | シェア（概算） / Share (%) |
|---|---|---|---|
| 信越化学（Shin-Etsu） | 日本 / Japan | 最大手、全ノード対応、高品質 | 約 30% |
| SUMCO | 日本 / Japan | 300mmに強み、安定供給力 | 約 25% |
| GlobalWafers（環球晶圓） | 台湾 / Taiwan | ファウンドリとの強固な関係 | 約 18% |
| Siltronic | ドイツ / Germany | FZ対応、SiCやGaN基板にも展開 | 約 10% |
| SK Siltron | 韓国 / Korea | サムスン系向け供給強い | 約 7% |
| その他 / Others | — | 小規模・ローカル向け供給等 | 約 10% |
出典：SEMI, 各社決算資料, 業界調査（2025年）
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