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🔭 ASMLのEUV露光装置機構｜Extreme Ultraviolet Lithography by ASML

本ページでは、ASML社のEUV（Extreme Ultraviolet）露光装置の機構とその構成要素について解説します。
This page explains the structure and key components of ASML’s EUV lithography system.

🌐 背景と重要性 | Background & Importance

EUV露光は13.5nmの極端紫外線を用いたリソグラフィ技術で、7nm世代以降のロジック/メモリ半導体製造に不可欠です。
EUV lithography, using 13.5nm wavelength light, is essential for advanced nodes (7nm and beyond) in logic and memory chip manufacturing.

短波長により、1Xnm以下のパターン形成が可能
Enables sub-10nm patterning due to its short wavelength
高NA化（Numerical Aperture）による解像度向上が進行中
High-NA versions are under development for further resolution gain

🧩 装置の主構成 | Key Components of EUV System

機能	構成要素	説明（日本語）	Description (English)
光源	Snプラズマ発生装置	CO₂レーザーがSnドロップレットを照射しEUVを生成	CO₂ laser hits Sn droplets to generate EUV light
収束・整形	集光ミラー（Collector）	放射状に広がるEUV光を平行ビーム化	Converts diverging EUV into usable beam
マスク系	EUV反射マスク（レチクル）	透過ではなく反射型で構成される4:1縮小マスク	Reflective mask with 4:1 reduction
投影系	Bragg多層ミラー	Mo/Si多層構造で高反射率を実現	Multilayer mirrors reflect EUV efficiently
環境制御	真空チャンバー	EUV光は空気中で吸収されるため全系真空化	Entire optical path is under vacuum

🔄 EUVプロセスの流れ | EUV Lithography Workflow

graph TD
  A[Snドロップレット] --> B[CO₂レーザー照射]
  B --> C[EUV光発生]
  C --> D[集光ミラー]
  D --> E[反射マスク]
  E --> F[投影光学系]
  F --> G[ウェハ上に露光]

⚙️ 技術的課題と連携装置 | Technical Challenges & Linked Tools

EUVレジストの感度・エッチング耐性のバランス
Balancing resist sensitivity and etch durability
メトロロジ・欠陥検査との連携（Actinic Inspection等）
Integrated metrology and defect inspection (e.g., actinic tools)
成膜・アッシングとのプロセス整合性
Process integration with deposition, ashing, and cleaning

🏢 ASMLの装置シリーズ | ASML EUV Tool Series

モデル	用途	特徴
NXE:3400C	7nm量産対応	世界初の量産EUV装置
NXE:3600D	5nm〜3nm対応	さらなるスループット・精度
EXE:5000シリーズ	High-NA EUV	NA=0.55で次世代ノード対応

🧠 学習のヒント | Learning Suggestions

Braggミラーの構造と反射機構を調べてみよう
Study how Bragg mirrors reflect EUV light
EUV装置とメトロロジ装置のデータ連携を図解してみよう
Visualize data integration between EUV and metrology tools
EUV用マスクの製造プロセス（EUV mask blank）を調査しよう
Investigate EUV mask fabrication processes

🖼️ photomasks/：EUV対応マスク技術
🔬 metrology-tools/：欠陥検査・EUVパターン測定
🧪 front-materials/：EUVレジスト材料やミラー材料

📄 ライセンス | License

本資料はMIT Licenseに基づき、非営利・教育目的での自由な利用・改変・共有を歓迎します。
This content is released under the MIT License for free non-commercial educational reuse.

EUV露光技術は、半導体微細化の核心に位置する革新技術です。ASMLの装置構成と物理原理を深く理解することで、プロセス統合や設計との橋渡しが可能となります。
EUV technology is at the core of semiconductor scaling. A deep understanding of ASML’s system architecture and optics enables better process integration and design insight.