本ページでは、ALD(Atomic Layer Deposition)の原理、プロセス構成、装置の特徴について解説します。
This page introduces the principles, process flow, and tool architecture of Atomic Layer Deposition (ALD).
ALDは、原子レベルで制御された薄膜形成技術であり、絶縁膜、ゲート酸化膜、バリア膜などの形成に広く用いられます。
ALD is a thin film deposition method enabling atomic-level thickness control, widely used for dielectrics, gate oxides, and barrier layers.
sequenceDiagram
participant S as 基板 (Substrate)
participant A as 前駆体A (Precursor A)
participant B as 前駆体B (Precursor B)
S->>A: Aをパルス導入
A-->>S: 吸着し飽和反応(Self-limiting)
S-->>A: 不要分をパージ
S->>B: Bをパルス導入
B-->>S: 表面反応により単層形成
S-->>B: 不要分をパージ
メーカー | 用途 | 備考 |
---|---|---|
Applied Materials 🇺🇸 | High-k膜、ゲート絶縁膜 | 高速ロジック向け |
Tokyo Electron (TEL) 🇯🇵 | バリア膜、封止膜 | Cu配線、3D NAND |
Lam Research 🇺🇸 | 3Dデバイス対応ALD | 高アスペクト構造用 |
ASM International 🇳🇱 | ALD専業で先駆 | 原子層精度で高評価 |
🧪 front-materials/
:ALD用前駆体と基板材料⚙️ front-end-tools/
:他の成膜装置との比較🧼 dry-etching/
:エッチングとの相互関係本資料はMIT Licenseに基づき、非営利・教育目的での自由な利用・改変・共有を歓迎します。
This content is released under the MIT License for free non-commercial educational reuse.
ALDは、次世代の3D構造や微細デバイスの形成に不可欠な技術です。プロセス制御と装置構造を理解し、設計・製造との統合を意識して学びましょう。
ALD is indispensable for advanced 3D structures and nano-scale devices. Understanding its mechanisms fosters better integration with design and manufacturing.