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🧪 ALD(原子層堆積法)の基礎と装置構造 | Atomic Layer Deposition Mechanism

本ページでは、ALD(Atomic Layer Deposition)の原理、プロセス構成、装置の特徴について解説します。
This page introduces the principles, process flow, and tool architecture of Atomic Layer Deposition (ALD).


🌐 ALDとは何か | What is ALD?

ALDは、原子レベルで制御された薄膜形成技術であり、絶縁膜、ゲート酸化膜、バリア膜などの形成に広く用いられます。
ALD is a thin film deposition method enabling atomic-level thickness control, widely used for dielectrics, gate oxides, and barrier layers.


⚙️ プロセスの流れ | Typical ALD Cycle

sequenceDiagram
  participant S as 基板 (Substrate)
  participant A as 前駆体A (Precursor A)
  participant B as 前駆体B (Precursor B)
  S->>A: Aをパルス導入
  A-->>S: 吸着し飽和反応(Self-limiting)
  S-->>A: 不要分をパージ
  S->>B: Bをパルス導入
  B-->>S: 表面反応により単層形成
  S-->>B: 不要分をパージ
  1. Precursor A 導入 → 吸着飽和
  2. パージで余剰反応物除去
  3. Precursor B 導入 → 表面反応による層形成
  4. 再度パージ → 1原子層の堆積完了

🏭 代表装置メーカーと用途 | Major Vendors & Applications

メーカー 用途 備考
Applied Materials 🇺🇸 High-k膜、ゲート絶縁膜 高速ロジック向け
Tokyo Electron (TEL) 🇯🇵 バリア膜、封止膜 Cu配線、3D NAND
Lam Research 🇺🇸 3Dデバイス対応ALD 高アスペクト構造用
ASM International 🇳🇱 ALD専業で先駆 原子層精度で高評価

🔗 他工程との関係 | Relation to Other Processes


🧠 学習のヒント | Learning Suggestions



📄 ライセンス | License

本資料はMIT Licenseに基づき、非営利・教育目的での自由な利用・改変・共有を歓迎します。
This content is released under the MIT License for free non-commercial educational reuse.


ALDは、次世代の3D構造や微細デバイスの形成に不可欠な技術です。プロセス制御と装置構造を理解し、設計・製造との統合を意識して学びましょう。
ALD is indispensable for advanced 3D structures and nano-scale devices. Understanding its mechanisms fosters better integration with design and manufacturing.