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📝 結論 / Conclusion

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日本語

本研究では、0.25 µm 64M DRAM立ち上げ（1998） と、それを基盤とした モバイル用疑似SRAM (VSRAM, 2001) の量産事例を整理した。

エプソン酒田工場におけるDRAMは、最終製品ビジネスとしての展開ではなく、先端プロセス技術を吸収し、社内製品群へ展開するための戦略的ビークル として活用された点が特筆される。SCF方式による迅速な立ち上げ、不良解析と歩留まり改善、そして信頼性確保は、DRAM自体の事業化以上に 「技術継承と応用展開」 に大きな意義を持った。

2001年に量産されたVSRAMは、その成果を直接反映したものであり、世界初のカメラ付き携帯電話を実現する原動力となった。しかし、0.18 µm世代では保持特性の限界によりVSRAMは断念され、1T-1Cセルを用いた擬似SRAMの進化はここで終止符を打った。

この一連の事例は、微細化移行期における「製品」よりも「技術獲得と活用」を優先する戦略的アプローチ の成功例であり、半導体アーカイブおよび教育資料としての価値を持つ。さらに、現代の技術移管やプロセス立ち上げにおける示唆 を与える事例として位置づけられる。

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English

This study reviewed the startup of 0.25 µm 64M DRAM (1998) and the subsequent mass production of mobile pseudo-SRAM (VSRAM, 2001).

At Epson’s Sakata Fab, DRAM was not pursued as a long-term product business, but rather as a strategic vehicle for absorbing advanced process technologies and deploying them across in-house product lines. Rapid SCF-based ramp-up, defect analysis, yield improvement, and reliability validation proved more valuable for technology transfer and application than for DRAM commercialization itself.

The VSRAM mass-produced in 2001 embodied these achievements and enabled the world’s first camera phone. Yet, at the 0.18 µm node, retention limitations forced the abandonment of trench-capacitor-based VSRAM, marking the end of pseudo-SRAM evolution based on the 1T-1C DRAM cell.

This case exemplifies a strategic approach prioritizing technology acquisition and utilization over direct product success during process scaling transitions, making it a valuable archive and educational resource. Moreover, it provides insights for today’s technology transfer and ramp-up strategies.