📖 プロローグ / Prologue

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半導体産業の転換期 / Turning Point in the Semiconductor Industry

1990年代、日本の半導体産業は大きな転換期を迎えていた。
1980年代にDRAM市場を席巻した日本勢は、1990年代に入ると 日米半導体協定 や 韓国・台湾勢の台頭 によって急速に競争力を失った。
それでも国内各社は、最先端技術の導入に果敢に挑み続けた。

In the 1990s, Japan’s semiconductor industry entered a major turning point.
After dominating the DRAM market in the 1980s, Japanese companies rapidly lost competitiveness in the 1990s due to the US–Japan Semiconductor Agreement and the rise of Korean and Taiwanese manufacturers.
Nevertheless, domestic companies boldly continued to introduce cutting-edge technologies.

酒田工場の挑戦 / The Sakata Fab Initiative

セイコーエプソン酒田工場の8インチラインも、その流れの中で建設された。
狙いは DRAMを事業の中心とすることではなく、DRAM技術を戦略的ビークルとして活用し、0.35µm以降の先端プロセスを吸収して自社固有の製品群へ展開すること にあった。

The 8-inch line at Seiko Epson’s Sakata Fab was built in this context.
The objective was not to make DRAM the core business, but to use DRAM technology as a strategic vehicle to absorb advanced processes beyond 0.35 µm and expand them into Epson’s proprietary product lines.

➡️ 対象製品 / Target Products:

技術移管の流れ / Flow of Technology Transfer

DRAM技術導入は、三菱電機からの技術移管によって進められ、各世代が明確な役割を担った。
The DRAM technology transfer from Mitsubishi Electric progressed step by step, with each generation playing a clear role:

世代 / Generation 製品 / Product 役割 / Role
0.5 µm – 16M DRAM First mass-production product ✅ Fab稼働の軌道化 / Ensure Fab ramp-up stability
0.35 µm – 64M DRAM (2nd Gen.) Process scaling product 🔧 微細化導入・歩留まり課題克服 / Introduce finer process & address yield issues
0.25 µm – 64M DRAM (3rd Gen.) Technology validation product 🔬 次世代技術の検証・社内展開基盤構築 / Validate next-gen tech & prepare internal rollout

本論文の焦点 / Focus of This Paper

本論文では、1998年に酒田工場で実施された 0.25 µm DRAM技術移管と立ち上げ を中心に、

を整理する。

さらに、その成果が2001年の モバイル用疑似SRAM（VSRAM）量産 へとどのように結びついたのかを記録する。

This paper focuses on the 0.25 µm DRAM technology transfer and ramp-up conducted at the Sakata Fab in 1998, analyzing:

It also documents how these efforts led to the mass production of mobile pseudo-SRAM (VSRAM) in 2001.

🗓️ 背景リンク / Background Link
本プロジェクトの基盤となった 8インチライン立ち上げと第2世代（0.35μm）DRAM立ち上げの経緯 は以下を参照。
1997年：セイコーエプソン酒田事業所8インチライン稼働