📘 64M DRAM 第3世代（0.25μm）立ち上げ記録 （1998）
📘 64M DRAM 3rd Gen (0.25μm) Startup Record (1998)
⚠️ 本記録は、1998年当時における技術移管・立ち上げ業務の実体験に基づく教育資料です。
エプソン社におけるDRAMは汎用技術の一部であり主力製品ではありません。
本記録には現在の事業機密や設計情報は一切含まれていません。
すべて三溝真一個人の記憶に基づき、教育・技術アーカイブ目的で再構成したものです。
⚠️ This document is based on the author’s actual experience during a technology transfer and ramp-up in 1998.
At Epson, DRAM was not a core product but a transitional legacy technology.
This archive contains no proprietary or confidential design data. It is reconstructed from memory for educational and archival purposes.
🧭 プロジェクト概要 | Project Overview
| 項目 / Item | 内容 / Details |
|---|---|
| 製品名 / Product | 64M DRAM（第3世代 / 0.25μm） |
| 年度 / Year | 1998年 |
| 担当者 / Role | 三溝真一（Shinichi Samizo, 技術担当 / Technical Engineer） |
| 移管元 / Transfer Fab | 三菱電機 熊本工場 KD棟（MotherFab） |
| Mitsubishi Electric Kumamoto Fab (KD Building) | |
| 立ち上げ先 / Ramp-up Site | セイコーエプソン 酒田工場 T棟 |
| Seiko Epson Sakata Fab (T Building) |
🏗️ プロセス立ち上げの役割と戦略 | Role & Ramp-up Strategy
- 0.25μm世代DRAMの量産立ち上げに技術担当として参画
- 特に、KD工場から提供されたフロッピー2枚分のプロセス条件をT工場に展開し、工程流動を可能にした技術展開を担当
- その後、不良解析・歩留まり改善・信頼性評価などにも関与し、量産移行フェーズを経験
Participated in the 0.25μm 64M DRAM ramp-up as a technical engineer.
Specifically handled the deployment of process conditions (2 floppy disks) from the KD fab to the T fab, enabling wafer process flow.
Also engaged in failure analysis, yield improvement, and reliability testing during the mass production transition.
🔗 プロセスフロー詳細 | Full Process Flow
📂 プロセスフローは以下にて別途整理：
📂 The full process flow is provided in the following separate documents:
- 📄
DRAM_Process_Flow_Full.md（日本語 / Japanese） - 📄
DRAM_Process_Flow_Full_en.md（英語 / English）
📊 フェーズ別の解析と改善 | Phase-by-Phase Analysis & Fix
以下は、工程流動後の不良解析と歩留まり改善に関する実体験の記録です。
| フェーズ | 内容 |
|---|---|
| 🔹 本番ロット投入 | 信頼性評価用に3ロット投入（Burn-in付き） |
| 📉 初回歩留まり | 約65%、主不良はポーズリフレッシュ不良 |
| 🔍 不良解析 | Pause Refresh条件でのビットエラー原因を調査 |
| ⚡ 容量確認 | セル容量は正常 → SNコンタクト〜N+/P-Well間リーク疑い |
| 🧐 SEM観察 | SNコンタクト構造に大きな欠陥なし（THB領域含む） |
| 📌 原因特定 | Gate-OX後のアッシングによるプラズマダメージ |
| 🛠️ 改善処置 | アッシング → ウエット処理に変更しダメージを抑制 |
| ✅ 結果 | 歩留まり約80%に向上、信頼性試験クリアし量産へ |
🧪 ポーズリフレッシュ不良とは | What is Pause Refresh Failure?
Pause Refresh Failure は、DRAMの電荷保持性を評価するため、
リフレッシュを一時停止後にセル読み出しを行う試験において現れる不良です。
→ 詳細は Bin分類資料（Bin5） を参照
📎 関連資料・リンク | Related Materials
DRAM_Maker_Comparison_1998.mdDRAM_Cell_Structure_Comparison.mdDRAM_Cell_Technology_Chronology.mddram_wafer_test_binclass_0.25um.md
🔗 関連アーカイブ：VSRAM（2001年）
🚀 29歳時に自身が推進した、モバイル向け擬似SRAM
DRAMプロセスを応用した革新メモリとして、世界初のカメラ付き携帯電話（SHARP製）に搭載
📘 本記録は教育・アーカイブ目的で再構成されたものであり、企業機密とは一切関係ありません。