本資料は、1998年当時の64M DRAM（0.25μm世代）における主要DRAMメーカーのセル構造と技術的特徴を比較したものです。
This document compares cell structures and technical features of major DRAM manufacturers in the 64M (0.25μm) generation circa 1998.
| メーカー / Maker | セル構造 / Cell Type | 製造拠点（当時）/ Fab Location | 技術的特徴 / Technical Features |
|---|---|---|---|
| 三菱電機 / Mitsubishi | スタックセル / Stacked Cell | 熊本 KD棟 / Kumamoto KD Fab | スタック構造、高アスペクト比形成技術を実装 Stacked structure with high aspect ratio capacitor formation |
| NEC | スタックセル / Stacked Cell | 広島 / Hiroshima | 高アスペクト比積層、シンプル構造、高歩留まり High aspect ratio stacking, simple design, high yield |
| 日立製作所 / Hitachi | スタックセル / Stacked Cell | 群馬・大阪 / Gunma, Osaka | コンデンサ・オン・ピラ構造、高密度設計に強み Capacitor-on-pillar structure, strong in high-density layouts |
| 富士通 / Fujitsu | スタックセル / Stacked Cell | 三重 / Mie | 安定した歩留まりと保守性重視の設計 Stable yield and maintenance-friendly process |
| 東芝 / Toshiba | トレンチセル / Trench Cell | 四日市 / Yokkaichi | IBMと共同開発、深掘トレンチ技術に強み Co-developed with IBM, advanced trench etch capability |
| Samsung | スタックセル / Stacked Cell | 華城（韓国）/ Hwaseong (Korea) | 高誘電積層酸化膜（HOC）導入、先端微細化 HOC integration, aggressive scaling |
| Micron | スタックセル / Stacked Cell | 米国ボイジー / Boise, USA | コスト優先、レイアウトと周辺回路が簡素 Cost-focused, simplified layout and periphery |
| IBM / TI / TSMC 他 | トレンチ or 特殊構造 / Trench or Custom | 各地 / Various | 信頼性優先の構造自由度、微細化より堅牢性重視 Reliability-oriented, flexible structures, robustness over scaling |