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🧬 DRAMセル構造比較（トレンチ vs スタック）

🧬 DRAM Cell Structure Comparison (Trench vs Stacked)

DRAMセル構造には主に「トレンチ型（Trench）」と「スタック型（Stacked）」の2種類が存在し、それぞれに長所・短所があります。
There are two major DRAM cell types: Trench and Stacked, each with distinct strengths and weaknesses.

項目 / Item	トレンチセル / Trench Cell	スタックセル / Stacked Cell
構造 / Structure	基板内に縦穴を掘ってコンデンサを形成 Capacitor formed by deep trench in substrate	基板上にコンデンサを積層 Capacitor stacked above substrate
面積効率 / Area Efficiency	非常に高い / Very high	高いがトレンチに劣る / High but lower than trench
リテンション特性 / Retention	優れる / Excellent	劣るが設計で補完可 / Weaker but improvable via design
製造難易度 / Process Difficulty	高（深掘・トレンチ形状） High (deep etching, trench shape)	中（成膜と積層形成） Moderate (film deposition, stacking)
プラズマダメージ感受性 / Plasma Sensitivity	高 / High	中 / Moderate
微細化適性 / Scaling Capability	難あり / Limited	高い / Excellent
採用企業 / Adopted by	東芝・IBM など / Toshiba, IBM	NEC・日立・三菱・Samsung 他 / NEC, Hitachi, Mitsubishi, Samsung, etc.

🔍 トレンチ型はIBM由来の技術で、微細化に課題があるが高密度・高リテンション。
Stacked型は1990年代後半以降、業界標準構造として定着。

Trench cells originated from IBM technology and excel in density and retention but struggle with scaling.
Stacked cells became industry standard in the late 1990s due to easier scaling.