1️⃣ 現行 & 新興RFデバイス / Current & Emerging RF Devices


📘 全体概要 / Overview

現行のRF通信モジュールは、スマートフォン・IoT・車載を中心に巨大市場を形成しています。
特に FBAR/BAWフィルタSOI RFスイッチ を中核とする RFフロントエンドモジュール(FEM) が標準構成です。

一方で、強誘電体可変キャパシタ(FeVar)MEMS可変C といった 新興技術 も研究開発が進められており、
今後の 再構成可能RFフロントエンド に向けた基盤となる可能性があります。

Today’s RF communication modules form a huge market in smartphones, IoT, and automotive.
Mainstream FEMs rely on FBAR/BAW filters and SOI RF switches.
At the same time, emerging devices such as ferroelectric varactors (FeVar) and MEMS capacitors are under R&D, with potential for reconfigurable RF front-ends.


🔑 構成要素 / Key Components

デバイス / Device 技術区分 / Status 現状技術 / Current Tech 主なプレーヤー / Major Players 特徴 / Characteristics 詳細 / Details
📡 BAW/FBAR Devices 商用主流
Mainstream
AlN, ScAlN薄膜共振子
AlN/ScAlN resonators
Murata, Broadcom, Qorvo, Skyworks 高Q・高周波対応・量産実績豊富
High Q, high frequency, proven mass production
baw-fbar.md
🔀 RF Switches 商用主流
Mainstream
SOI-CMOSベースFETスイッチ
SOI-CMOS FET switches
Qorvo, Skyworks, pSemi 低挿入損失、既に標準化
Low IL, standardized
rf-switches.md
🧩 Ferroelectric Varactors 新興技術
Emerging
HfO₂系強誘電体を利用
HfO₂-based ferroelectrics
Niche, university R&D 可変C素子、再構成可能性向上のポテンシャル
Tunable C for reconfigurable front-ends
ferroelectric-varactors.md
⚙️ MEMS Capacitors 新興技術
Emerging
可動構造MEMS可変C
Movable MEMS varactors
niche 高Qだが歩留まり課題
High Q, but yield issues


⚠️ 現行課題 / Current Challenges

課題 / Challenge 内容 / Details
再構成性の欠如 / Lack of reconfigurability デバイス特性が固定されており、周波数再構成が困難。
部品点数の爆発 / Filter count explosion 多バンド化により数十個のフィルタを実装、コスト増大。
熱信頼性・挿入損失の制約 / Thermal reliability & IL 高電力駆動や高温環境での安定性が課題。